Societatea Fizicienilor din Moldova Institutul de Fizică Aplicată al AŞM

Institutul de Inginerie Electronică şi tehnologii Industriale AŞM

Universitatea de Stat a Moldovei Universitatea Tehnică a Moldovei Universitatea de Stat din Tiraspol

Universitatea de Stat din Bălţi

CONFERINŢA FIZICIENILOR DIN MOLDOVA

CFM - 2009

ABSTRACTS

CHIŞINĂU, R.MOLDOVA

26 – 28 NOIEMBRIE 2009

Suport financiar Academia de Ştiinţe a Moldovei Societatea Europeană de Fizică

2

Conferinţa Fizicienilor din Moldova (CFM-2009) cu participare internaţională continuă seria Conferinţelor din 2005, 2007 şi este organizată de Societatea Fizicienilor din Moldova ca membru colectiv al Societăţii Europene de Fizică, Institutele cu profilul de Fizică ale Academiei de Ştiinţe a Moldovei şi Universităţile din R. Moldova. Conferinţa va evidenţia şi va discuta probleme actuale din fizică pe plan mondial şi intern, va încuraja contactele ştiinţifice şi cunoaşterea reciprocă a activităţii membrilor Societăţii Fizicienilor din Moldova şi fizicienilor din străinătate, va promova relaţiile între oamenii de ştiinţă, de cultură, din învăţământ şi din diferite domenii ale economiei naţionale. Vor fi reliefate direcţiile majore de cercetare din universităţi şi instituţiile de cercetare. Se va acorda o atenţie deosebită aspectelor aplicative ale fizicii şi a interacţiunii cu industria, energetica, informatica, protecţia mediului ambiant, medicină şi alte domenii.

CFM-2009 este consacrată anului internaţional al Astronomiei şi aniversării de 50 ani de

la descoperirea circuitului integrat.

Responsabilitatea asupra continutului rezumatelor revine in excluzivitate autorilor

3

Comitetul Ştiinţific Onorific Gh.Duca (Moldova) M.Kolwas (Polonia) L.V.Keldysh (Rusia) I.Bostan (Moldova) Gh.Ciocan (Moldova) N.Zamfir (România) A.Andrieş (Moldova) E.Livovschi (Moldova) V.Litovchenko(Ukraina) E.Burzo (România) F.Kusmartsev (Anglia) Gh.Popa (România) E.Aruşanov (Moldova) A.Drumea (Moldova) S.Moscalenco (Moldova) V.Moscalenco (Moldova) V.Ciupină (România) M.Bologa (Moldova) A.Simaşchevici (Moldova) E.Pocotilov (Moldova) V.Postolati (Moldova) T.Şişianu (Moldova) I.Diaconu (Moldova) S.Dimitrache(Moldova) V.Musteaţă(Moldova) A.Dicusar(Moldova)

Comitetul de organizare:

Co-preşedinti: V.Canţer, I.Tighineanu Vice-preşedinţi: L.Culiuc, A.Sidorenko,V.Dorogan, P.Gaşin, I.Geru, E.Plohotniuc, V.Perju Seretari Ştiinţifici: E.Condrea, O.Şikimaka, I.Holban Membri: E.Pasinkovschi, S.Railean, L.Konopko, G.Conunov, V.Alcaz, V.Berzan, I.Balmuş, B.Corolevschi, E.Rusu, V.Şontea, E.Georghiţă, V.Guţan,V.Ciornea, O.Şikimaka, M.Iovu, I.Evtodiev, I.Postolachi

Comitetul de program: Domeniul Grupul de Responsabili Fizica stării condensate

L.Culiuc, V.Moscalenco, P.Hadji, A.Sidorenko, D.Digor, V.Ţurcan, D.Grabco, T.Munteanu, A.Casian, D.Nedeoglo

Problemele Fizicii Teoretice

S.Moscalenco, E. Pocotilov, M.Palistrant, N.Enache, I.Geru, V.Gamurari, M.Vladimir, D.Digor, I.Belousov, C.Gudima

Fizica şi Ingineria Materialelor

I.Tighineanu, A.Andrieş, E.Aruşanov, Iu.Simonov, M.Iovu, N.Popovici, N.Sîrbu, P.Bodiul, E.Rusu, M.Caraman, A.Nicorici, D.Meglei

Fizica şi Tehnologiile Moderne

V.Canţer, T.Şişianu,V.Dorogan, V.Stan, V.Cheibaş, E.Badinter, S.Andronic, G.Korotcenkov, A.Nicolaev, V.Ursachi, I.Evtodiev

Ingineria Fizică şi Echipamente Tehnice

M.Bologa, A.Dicusar, S. Dimitrache, A. Lupaşco, S.Băncilă, D.Ţiuleanu, P.Dumitraş, E.Pasinkovschi, E.Plohotniuc

Tehnologii Fizice în Energetică

A.Simaşchevici ,V.Postolati, D.Şerban, V.Musteaţă, I. Stratan, V.Arion, V.Berzan, V.Trofim

Fizica computaţională şi Informatica

N.Balmuş, V.Şontea, A.Popescu , V.Beşliu V. Driuma, D.Nedeoglo, V.Enache

Fizica si Învăţământul P.Todos, P.Gaşin, V.Guţan, V.Bocancea, I.Holban, Iu..Malcoci, S.Cârlig, A.Marinciuc, M.Marinciuc E.Georghiţă , L.Gorceac, S.Rusu

Geofizica, Fizica Atmosferei şi Mediului

A.Drumea, V.Alcaz, A.Aculinin, E.Zasaviţchi

Metode şi Echipamente Fizice în Medicină şi Biologie

A.Rotaru, Iu.Nica, I.Diaconu, V.Rudenko

Simpozionul Studenţilor şi Elevilor

V.Nicorici, I.Balmuş, I.Postolachi, Ş.Tiron, V.Cheptea,I.Evtodiev, V.Păgânu

4

CUPRINS De la Electronica de “IERI” la Microelectronica de “AZI” spre Nanoelectronica “DE MÎINE” (50 ani de la invenţia Circuitelor Integrate) V.Canţer, S.Şişianu, T.Şişianu

13

Academicianul Alexei Simaşchevici în studiul heterojoncţiunilor neideale D.Şerban

14

Многоквантовые переходы в двухуровневых системах С.А.Баранов

15

Long-time observations of atmospheric optical and microphysical properties at the Kishinev site within the aeronet network A.Aculinin, V.Smicov

16

General principles of operation and applications of fiber optic sensors A.M.Andriesh, I.P.Culeac, M.S.Iovu, Iu.H.Nistor

18

Proprietati electrice si fotoelectrice ale hetero jonctiunilor CdS-CdxZn1-xTe C.Antoniuc, P.Gaşin, A.Coval

19

Analysis methods and devices of the pulsation wave and of variations of the heart beat Nicolae Armencea, Victor Sontea

20

Device for high voltage current rectification at the high temperature Baranov Simion, Cinic Boris and Suman Victor

21

Application of two dimensional Heisenberg model to nucleation theory S.A.Baranov

22

Use of the cast amorphous microwire for radioabsorbing materials . S.A.Baranov

23

Ferromagnetic resonance in micro - and nanowires S.A.Baranov

24

Size-dependent thermoelectricity in gated bismuth telluride nanowires I.Bejenari, V.Kantser

25

Aspecte electrofizice la prelucrarea produselor lactate secundare M.Bologa, E.Sprincean, A.Bologa, A.Policarpov, T.Stepurina

26

Sterilizarea mediilor lichide în contact cu plasma: despre un eficient mecanism de acţiune a impulsurilor de tensiune înaltă Iurie Boşneaga

27

Tehnologiile în plasma microundelor: cu privire la unele posibilităţi de control neinvaziv on-line Iurie Boşneaga, Tudor Grosu, Mircea Bologa

28

Republica Moldova în cleştele crizei energetice: soluţii pentru o dezvoltare durabilă Iurie Boşneaga

29

Instalaţie experimentală şi procedeu tehnologic pentru obţinerea straturilor subţiri şi a structurilor în baza compuşilor A3B5 V.Botnariuc, A.Benderschi, L.Gorceac, A.Coval, S.Raevschi, B.Cinic

30

Structuri epitaxiale n+-nº-p+ din GaAs pentru detectoare de radiaţie nucleară V.Botnariuc, P.Gaugaş, L.Gorceac, A.Coval, Iu.Zhilyaev, S.Raevschi, N.Poletaev, L.Feodorov

31

5

Characterization of Cu(In,Ga)Se2 thin films using reflected SHG G.Buintskaya

33

Electrochemicaly grown ZnO rods and microstructures Alexandru Burlacu

34

Efecte spintronice în nanostructuri semiconductoare cu polarizare electrică Sergiu Cârlig

35

Temperature dependence of electrical conductivity in some quasi-one-dimensional organic crystals A.Casian and I. Balmus

36

Efectul cuantic dimensional în conductibilitatea nanofirelor de bismut E. Condrea, A. Nicorici

37

Intensificarea proceselor de evaporare prin aplicarea arderii pulsatorii T.Cuciuc, M.Bologa,C.Hriţcu,P. Dumitraş,V.Gramaţchi

38

Speckle-based fiber optic method for registration of IR radiation Ion Culeac, Iurie Nistor, Mihail Iovu, Andrei Andriesh

39

Adsorbents for fluorine removal on the base of sludge of aluminum alloy electrochemical machining T.Ya.Daţko, V.I.Zelenţov, E.E.Dvornikova

40

Fluorine removal by aluminum oxyhydroxides T.Ya.Daţko, V.I.Zelenţov, E.E.Dvornikova

41

Diagrammatic theory for strongly correlated Periodic Anderson Model L.A.Dohotaru

42

Atlasul hărţilor intensităţii seismice ale cutremurelor din Moldova (s. X111-XX1) A.V.Drumea, N.Ya.Stepanenco, N.A.Simonova, I.V.Alecseev, Yu.V.Kardaneţ

43

Efectele cavitaţionale la dispersarea fină a materialelor P.Dumitraş, M. Bologa, T. Cuciuc

44

Exact solution of tree level oscillator in interaction with thermal bath Nicolae Enaki, Sergiu Bazgan

45

Cooperative light scattering in Raman laser N.Enaki, M.Turcan

46

Aparat de zbor mai uşor ca aerul cu geometria şi forţa de ascensiune reglabile Filip Boris

47

Energy saving procedures and instalation for dehydration the vegetal products Filip Boris

49

Starea actuală a influenţelor active în scopul provocării precipitaţiilor şi tehnologiile utilizate pentru acest lucru. Garaba I.A., Potapov E.I., Zasavitsky E.A.

51

Studierea efectului GMR în cursurile universitare de fizică Eugen Gheorghiţă, Felicia Ermalai, Valeriu Canţer, Igor Postolachi, Olga Zlotea

52

Structura spectrelor de iradiere ale antimonidului de galiu dopat cu pămînturi rare la temperaturi joase E.Gheorghiţă, L.Guţuleac, A.Mihalache

54

6

Modificarea spectrelor de reflexie ale antimonidului de galiu sub influienţa fierului Eugen Gheorghiţă, Olga Zlotea, Pantelei Untilă

56

Dimensional effects of corrosion rate at pulse electrochemical manufacturing of meso- and nanomaterials P.G. Globa, S.P. Sidelnikova, N.I. Tsyntsaru, A.I. Dikusar

57

Deformation regularities of materials by local load action Daria Grabco

58

Mişcări electrohdrodinamice de rotaţie a lichidelor dielectrice în câmpuri electrice încrucişate T.Grosu, M.Bologa

59

Fenomene hidromecanice şi fizice în câmpurile electric şi magnetic încrucişate T.Grosu, M.Bologa

61

Unconventional pairing in exciton condensates and the role of fundamental symmetries Tugrul Hakioglu

62

Polarization induced topological states in semiconductor layered structures S.Cârlig, F.Ermalai, V.Kantser

63

Electronic states on cylindrical nanowire surface under transverse magnetic field V.Kantser and I.Cojocaru

64

Optical and photoelectrical properties in As-Se thin films D.V.Harea

65

Influence of submicronic layers on defectscreated in substrate of ITO/Si coated system under concentrated load action Eugen Harea

66

Thermopower features of Bi nanowire arrays T.Huber, L.Konopko, A.Tsurkan, OBotnari, E.Istraty

67

Sistem de alarmare seismică pentru Republica Moldova la cutremurele majore Vrâncene (starea actuală şi de perspectivă) Ilieş I, Ionescu C., Grigore A.

69

Proprietăţile electrice şi fotoelectrice a heterostructurilor ZnSe-CdTe Ion Inculeţ, Victor Suman, Petru Gaşin

70

Phase change memory devices based on amorphous semiconductors (A review) Maria Iovu, Mihail Iovu

71

Numerical modeling of detection in the low temperatures diode detectors I.Kerner

72

Peculiarities of Aharonov-Bohm Oscillations in Bi Nanowires L.A.Konopko

73

Magnetic properties of ZnSe crystals doped with d-elements’ impurities R.Laiho, A.V.Lashkul, E.Lahderanta, D.D.Nedeoglo, N.D.Nedeoglo, I.V.Radevici, V.P.Sirkeli, K.D.Sushkevich

75

Sinteza nanocristalelor de PbS de diferite dimensiuni utilizînd ca precursori bis(trimetilsilil)sulfura şi oleiatul de plumb Lascova R., Gavriluţa A., Mitioglu A., Gherman C., Noviţchi Gh.

76

7

Învăţămîntul preuniversitar din Republica Moldova, fizica şi procesul de instruire Iulia Malcoci

77

Indium impurity effect on growth and structural perfection of lead-tin telluride wire crystals D.F. Meglei, M.P. Dyntu, and S.V. Donu

79

Mecanismele de împrăştiere a purtătorilor de sarcină în antimonidul de galiu nedopat Alexei Mihălache

80

Efectul fotovoltaic în heterojoncţiuni şi structuri multistrat formate de compuşii semiconductori II-VI P.Gaşin

81

Influenţa solventului asupra proprietăţilor optice şi luminescente ale soluţiilor coloidale de nanocristale PbS Anatol Mitioglu, Anatol Gavriluţa, Renata Lascova

82

Изменение эффективного размера сверхпроводящих зон в структурах на основе Ниобия и сплава Медь-Никель во внешнем магнитном поле. Morari Roman

84

Non monotonic behavior of superconduction critical temperature of Nb/CuNi films with a nanometer range of layer thickness. R.Morari,V.I.Zdravkov, E.Antropov, A.Awawdeh, A.Prepelita, L.R.Tagirov, Mu.Yu.Kupriyanov, A.S.Sidorenko

85

The elementary excitations in 2D e-h systems in a strong magnetic field S.A.Moskalenko, M.A.Liberman, E.V.Dumanov

87

Shapes and intensities of the spectral lines for the exciton-electron process in high magnetic field S.A. Moskalenko, M.A. Liberman, and I.V. Podlesny

88

A strong coupling diagrammatic theory for Hubbard Model in normal and superconducting state V.A.Moskalenko, L.A.Dohotaru, and I.D.Cebotari

89

Superconductivity and ferromagnetism in interfaces of Bi-Sb alloys F.M.Muntyanu, V.Chistol

91

Proprietăţile fotoluminescente ale cristalelor de ZnSe dopate cu metale de tranziţie D.D.Nedeoglo, I.V.Radevici, K.D.Suşchevici, A.V.Nicorici, D.P.Dvornicov

92

Electroplasmoliza în tehnologia prelucrării soiurilor de struguri roşii А.Papcenco, N.Popova, V.Ciobanu, M.Bologa

93

Оптимизированная аппроксимация вольт-амперных характеристик и режимы солнечных батарей A.Penin, A. Sidorenko

94

Studiul proceselor de magnetizare a materialelor compozite magnetostrictive pe bază de ferită de cobalt şi titanat de bariu folosind modelul Jiles-Atherton Nicusor Cristian Pop, Ovidiu Florin Caltun

95

Impactul ecologic generat de exploatările subsolului din regiunea de nord a RM Aurelia Popuiac

97

Celule solare cu sulfură de cadmiu T. Potlog, V. Botnariuc, L. Gorceac, S. Raevschi, N. Spalatu, N. Maticiuc.

98

8

Analyzing the new results of applying Noether’s theorem to mixed theories V.M. Ristić and M.M. Radulović

100

Anemometru cu senzor digital de mişcare rotativă Manole Rotaru, Sergiu Cârlig

101

Determinarea coeficientului de transfer termic pentru diferite materiale Şargarovschi Sergiu, Andrieş Vasile, Sergiu Cârlig

102

MAD growth and photoluminescence of thin ZnO films O.Shapoval, A.Belenchuk, V.Moshnyaga, V.Ursaki, E.Rusu

103

The role of light quantum energy in technology with rapid photothermal processing for P-Si solar cells Sergiu Shishiyanu

104

Transparent conductive oxide layers and their application in solar energetic A.Simashkevich, D.Sherban, L.Bruk, I.Usatii, V.Fedorov

105

Optimizarea prelucrării electrofizice a produselor lactate secundare E.Sprincean

106

Resistive Transition Measurements of MgB2 Samples with High Precision A.Surdu

107

Acţiunea sterilizatoare a plasmei de joasă temperatură, generată în câmpul descărcărilor electrice de frecvenţă înaltă, asupra sporilor bacteriilor V.Usenco, S.Prudnicinoc, O.Coteţ, A.Policarpov

108

Capacitance relaxation in chalcogenide films near the glass transition temperature I.A. Vasiliev

110

Non-exponentiality of capacitance relaxation versus temperature: example of As5Se95 thin film I.A. Vasiliev

112

Nanocompozite fotosensibile amorfe pe baza semiconductorilor calcogenici compusi As2(SxSe1-x)3 şi polimerului polivinilpirolidon: tehnologia si absorbţia optică V.I.Verlan, S.A.Buzurniuc

113

Investigation of ice-forming characteristics of reagents Zasavitsky E.

114

Photoluminescence in MgIn2S4 V.F.Zhitar, E.D.Arama, T.D.Shemyakova

115

Anisotropy of photoluminescence in ZnIn2S4 doped with Cu and Mn V.F.Zhitar, V.I.Pavlenko, T.D.Shemyakova

116

Anisotropy of mechanical properties of InP Single Crystals after long-term Rest Zhitaru R., Pyshkin S. and Ballato J.

117

Наложенные решётки, сформированные электронным пучком в слоях из полимеров Е.А.Акимова, А.М.Андриеш, С.А.Сергеев, С.В.Робу

119

Ветровой режим в районе “Telecentru” г. Кишинева А. Акулинин, В. Смыков

120

Mногофакторный сейсмический риск территоии Республики Молдова В.Г.Алказ

122

9

Исследование сейсмических свойств грунтов с помощью численного моделирования В.Г.Алказ, Е.С.Исичко, П.П.Павлов

123

Получение нанонитей при электроискровом легировании С.А.Баранов, А.И.Дикусар

124

Стимулированное излучение экситонов, возбуждаемых двумя ультракороткими лазерными импульсами в тонких пленках Cu2O И.В.Белоусов

125

Полупроводниковый характер слабопроводящих органических жидкостей И.И.Берил, М.К.Болога

126

Теплообмен при конденсации парогазовой смеси в электрическом поле М.К.Болога, Ф.П.Гросу, А.А.Поликарпов, О.В.Моторин

127

Некоторые аспекты улучшения характеристик многоступенчатого электрогидродинамического насоса М.К.Болога, И.В.Кожевников

128

Некоторые особенности физики кипения в условиях действия электрических сил М.К.Болога, О.И.Мардарский, И.В.Кожевников

129

Двухфотонная двухимпульсная нутация в системе когерентных биэкситонов в полупроводниках В.В.Васильев, П.И.Хаджи

130

Исследование динамики бозе–конденсированных атомов в ловушках О.Ф.Васильева, О.В.Коровай, П.И.Хаджи

131

Экологические аспекты активных воздействий на облака с применением льдообразующих реагентов на основе йодистого серебра И.А.Гараба, Е.А.Засавицкий, Е.И.Потапов

132

Оптимизация энергетических параметров тонкопленочных солнечных элементов CdS-CdTe П.А.Гашин, Л.С.Гагара, В.М.Федоров

134

Влияние параметров индуктивно-емкостного устройства на процесс осаждения меди В.Ф.Гологан, Ж.И.Бобанова, С.Х.Ивашку

135

Оптимизация накладного измерительного конденсатора А.А.Джежора, В.В.Рубаник

137

Получение нанокристаллических сплавов Fe-W и изучение их механических свойств А.И.Дикусар, Ж.И.Бобанова, Т.И.Цинцару, Г.Ф.Володина

138

Электрические и фотолектрические свойства анизотипных гетеропереходов p-GaSe/n-фуллерит С60 И.Евтодиев, Д.Споялэ, В.Прилепов, В.Жеру

139

Исследование структуры поверхностных слоев композитов полимер-высокодисперсный металл. Р.Житару, С.Робу, М.Енаки, Н.Палистрант, Д.Митьков, В.Рубаник и Н.Барбэ

140

Фононные свойства наноструктур: сравнение континуального подхода с молекулярно-динамической моделью колебаний решетки. Зинченко Надежда, Гамурарь Виссарион, Ника Денис, Покатилов Евгений

141

10

Особенности пайки микропроводов без использования контактных площадок Вячеслав Зиньковский, Виктор Шонтя

142

Экситонные состояния в кремниевых квантовых точках К.Исакова, Е.Покатилов, Д.Ника, В.Тимошенко

143

Аналитическое описание аксиальных текстур плёнок висмута на основе анализа данных, полученных рентгенографическим методом Е.Ю.Канаровский, Н.Ф.Бондарчук, А.А.Николаева

144

Применение процессов фотокатализа для селективной регенерации отработанных электролитов в гальванотехнике О.В.Ковалева

146

Анизотропия термоэдс в нитях висмута легированного акцепторной примесью Л.Конопко, А.Николаева, А.Цуркан

148

Некоторые особенности нанесения композиционных гальванических покрытий в центробежном гидродинамическом поле Д.М.Кроитору

149

Развитие модели Valence Force Field для расчёта фононный свойств алмазоподобных кристаллических решёток Д.Крышмарь, А.Аскеров, Е.Покатилов

150

Особенности распространения света в массивах световодов К.Д.Ляхомская, П.И.Хаджи

151

Новый физический метод очистки от накипи и теплообменные аппараты для его применения Максимук Е.П., Болога М.К.

152

Решение задачи о среде-носителе волн, соответствующей уравнениям Максвелла Беттин Миронов

153

Структурно-фазовые изменения в электроискровых железоуглеродистых покрытиях при различных температурах их нагрева А.И.Михайлюк, Г.Ф.Володина

155

Особенности записи голографических интерференционных решеток в тонкослойной структуре Аl- As2Se3 в поле коронного разряда. А.М.Настас, А.М.Андриеш, А.М.Присакар

156

Люминесцентные свойства кристаллов селенида цинка, легированных никелем Д.Д.Недеогло, Р.Л.Соболевская, К.Д.Сушкевич, Д.П.Дворников, А.В.Никорич

157

Продольное магнито-сопротивление и магнито-термоэдс в нитях висмута в широком интервале температур и магнитных полей А.Николаева, П.Бодюл, Г.Пара, О.Ботнарь, Г.Растегаев

158

Анизотропия верхнего критического поля Hc2 в двухзонных сверхпроводниках с данной структурой типа MgB2. М.Е.Палистрант, В.А.Урсу, И.Д.Чеботарь.

160

Коррозионностойкие покрытия, нанесенные электроискровым способом А.М.Парамонов, В.В.Паршутин, А.В.Коваль

161

Повышение коррозионной стойкости сталей химико-термической обработкой В.В.Паршутин, Е.А.Пасинковский, А.В.Коваль

162

11

Разработка способов повышения коррозионной стойкости гальванических покрытий на основе железа В.В.Паршутин, Е.А. Пасинковский, А.В.Коваль

164

Новый способ химико-термической обработки стальных изделий В.В.Паршутин, Е.А.Пасинковский, А.М.Парамонов, А.В.Коваль, Н.С.Шолтоян

166

Подавление водным эксрактом плодов конского каштана коррозии сталей в воде В.В.Паршутин, Н.С.Шолтоян, С.П.Сидельникова, А.В.Коваль, О.А.Болога, В.Н.Шофранский

168

Изменение свойств кинетических коэффициентов в нитевидных монокристаллах сплавов висмут – сурьма с температурой, диаметром, составом. И.А.Попов, П.П.Бодюл, Е.Ф.Молошник, Е.К.Истрате

169

Особенности поведения кинетических коэффициентов в нитевидных монокристаллах сплавов висмут – 12at% сурьмы большого диаметра. И.А.Попов

170

Увеличение фоточувствительности тонких пленок ХСП при использовании мелкодисперсных слоев на основе ванадия и его окислов Владимир Прилепов, Петр Гашин, Аркадий Кирица, Д.Споялэ, А.Черный

171

Активация порошков для получения сегнетоэлектрической керамики с использованием энергии взрыва и ультразвуковых колебаний В.В.Рубаник, В.В.Рубаник мл, А.Д.Шилин, И.В.Петров, Л.В.Маркова

172

Условия выращивания и спектры катодолюминесценции монокристаллических слоев CdSe на кристаллах слюды Э.А.Сенокосов, В.М.Ишимов, В.И.Чукита, М.В.Чукичев

173

Формирование шероховатости поверхности хромовых покрытий при их высокоскоростном анодном растворении С.А.Силкин, В.И.Петренко, А.И.Дикусар

174

Оссобенности подвижности в низкомерных системах с параболическим потенциалом в постоянном поперечном электрическом поле Э.П.Синявский, С.А.Карапетян

175

Электрические свойства тонких пленок фуллерит С60:Sn Д.Споялэ, И.Евтодиев, А.Черный

176

Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки на электронном дифосфиде цинка тетрагональной модификации И.Г.Стамов

177

Повышение эффективности оптической записи в наноразмерных слоях селенид мышьяка – алюминий под действием электрического поля. Г.М.Тридух, А.М.Андриеш, Е.А.Акимова, A.M.Присакарь

179

Оптический аналог Фешбах–резонанса в пропускании фазово-модулированных УКИ лазерного излучения тонкой плёнкой полупроводника в экситонной области спектра П.И.Хаджи, И.В.Белоусов, Н.Н.Розанов, С.В.Фёдоров, А.В.Коровай, Д.А.Марков

180

Фазовый контроль двухфотонной оптической нутации в системе биэкситонов в полупроводниках П.И.Хаджи, В.В.Васильев

182

Явление бозе-эйнштейновской конденсации атомов в магнитооптических ловушках П.И.Хаджи, О.Ф.Васильева

183

12

Когерентная суперхимия П.И.Хаджи, А.П.Зинган, Е.B.Жуков

184

Распространение те-поляризованных волн в световоде c нелинейной сердцевиной в условиях возбуждения экситонов и биэкситонов П.И.Хаджи, КоровайО.В.

185

Усиление и лазерная генерация на м-полосе люминесценции П.И.Хаджи, Д.А.Марков, А.В.Коровай

186

Термоэлектрические свойства сильнолегированных нитей сплавов Bi-Те А.Цуркан, О.Ботнарь, Т.Котоман, Е.Истратий

187

Применение многоквантовой модели для интерпретации экспериментальных данных по фотоиндуцированной реакции эпимеризации глюкозы О.В.Ялтыченко, Е.Ю.Канаровский

188

Определение оптических констант халькогенидных стеклообразных полупроводниковых тонких пленок (As2S1,5 Se1,5)0,99:Sn0,01 О.Ясенюк, А.Мешалкин, Г.М.Тридух, А.Присакар

190

Взаимодействие собственных и примесных дефектов в монокристаллах ZnSe Д.Д.Недеогло, Н.Д.Недеогло, В.П.Сиркели

191

Nanowire plasmonic structures for photovoltaics V.Kantser, E.Curmei, S.Drăguţa

192

Grain Boundary Wetting in the Al-Mg System and Synthesis of Magnesium Diboride in Contact with Melt. A.V.Surdu, B.B.Straumal, A.S.Gornakova, A.A.Mazilkin, A.B.Straumal, A.N.Nekrasov, E.P.Condrea, A.Awawdeh, A.S.Sidorenko

193

Emisia spontană ne-exponenţială şi fluorescenţa de rezonanţă între radiatorii indistinctibili E.Galeamov, N.Enaki

194

13

De la Electronica de “IERI” la Microelectronica de “AZI” spre Nanoelectronica “DE MÎINE”

(50 ani de la invenţia Circuitelor Integrate)

V. Canţer*, S. Şişianu**, T. Şişianu** *Institutul de Inginerie Electronică şi Tehnologii Industriale AŞM,

**Universitatea Tehnică a Moldovei

Era modernă a electronicii a început cu o dezvoltare accelerată în perioada dinainte de şi după al doilea război mondial, când componentele electronice (la acea vreme, relee, rezistoare, condensatoare, bobine, şi tuburi electronice) şi+au găsit aplicarea în diferite dispozitive electronice. În această perioadă, s-au produs şi primele calculatoare electronice. ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer–Calculator Şi Integrator Electronic Numeric), construit în SUA, a fost primul calculator electronic generic. El combina, pentru prima dată, viteza mare a componentelor electronice cu posibilitatea programării pentru probleme mai complexe. În a doua jumătate a anilor 1950, tranzistoarele bipolare au înlocuit tuburile electronice. Utilizarea lor a dat naştere la noi dispozitive electronice, inclusiv calculatoare, care pot fi caracterizate ca dispozitive de a doua generaţie. Electronica cu tranzistoare a dus la îmbunătăţire cardinală a funcţionabilităţii dispozitivelor, la elaborarre de noi tipuri de dispozitive, declanşând marşul ei triumfal în dezvoltarea civilizaţiei. Explozia gradului de utilizare a dispozitivelor electronice şi a calculatoarelor a început cu cele din a treia generaţie a electronicii. Dispozitivele şi sistemele din această generaţie se bazau pe invenţia circuitului integrat de către Jack St. Clair Kilby şi independent de Robert Noyce, tehnologie care a condus mai târziu la inventarea microprocesorului şi evoluţia unor domenii întregi ale electronicii în microelectronică. Microprocesorul a condus la dezvoltarea microcalculatoarelor, calculatoare mici şi ieftine ce puteau fi vândute firmelor mici şi persoanelor private. Microcalculatoarele, care au apărut în anii 1970, au devenit omniprezente după anii 1980. Cu implementarea largă a calculatoarelor personale, cu utilizarea largă a microprocesoarelor în alte multiple sisteme electronice electronica-microelectronica s-a impus prin sisteme şi dispozitive din generaţia a patra, care sunt acelea ce determină esenţa dezvoltării societăţii informaţionale,bazată pe cunoaştere. Un adevăr incontestabil este că evoluţia tehnologiilor de calcul a avut o acceleraţie greu de imaginat. Timp de 50 de ani, de la inventarea circuitelor integrate, rata de creştere a performanţei a fost exponenţială, dublînd puterea de calcul la fiecare 18 luni. Această evoluţie a fost atît de inexorabilă încît a fost denumită ``lege'': aceasta este celebra lege a lui Moore.Aceasta se confirmă prin datele cronologice ce urmează: de la primele tranzistoare şi primele circuite integrate - până la cele mai sofisticate sisteme microelectronice cu 2x108comp/cristal (2009); de la plachete monocristaline de Si cu diametrul de 10mm (1959) până la plachete industriale cu diametrul de 300mm (2009). Evolutia tehnicilor de fabricatie a circuitelor integrate este unica in istoria industriei moderne. Astfel în prezent Electronica – Microelectronica – Calculatoarele – Sistemele informaţionale – Reţele de calculatoare - Internet – Nanoelectronica – au devenit matriţa formatării traseului evoluţiei civilizaţiei. Realizarea posibilităţilor de informatizare şi de comunicaţii între oricare puncte ale globului pământesc şi a spaţiului cosmic pot fi considerate ca realizări de prim rang a civilizaţiei de pe Terra. Dar această evoluţie vertiginoasă a electronicii, microelectronicii, bazate în mare măsură pe microtehnologiile siliciiului se pare că ajunge la limitele impuse de legităţile fizice şi în ultimii ani insistent se studiază o multitudine de alternative. O bună parte din ele sunt din aria nanotehnologiilor şi sunt conturate întrun domeniu aparte – nanoelectronica, care deja se impune prin microdispozitive de generaţia a cincea. Sub aspectul tehnicii de calcul una din alternativele mai viabile este cea hibridă: ajustarea nanotehnologiei şi hardware-ul reconfigurabil pentru a construi maşini de calcul, Această variantă fiind foarte asemănătoare cu cea a circuitelor reconfigurabile disponibile comercial (numite FPGA, Field Programmable Gate Array). Astfel de circuite vor fi fabricate printr-o mixtură de tehnologii: fiecare nano-bloc e fabricat folosind nanotehnologii. Lăcaşurile pentru grupuri şi sîrmele lungi sunt fabricate în tehnologie CMOS; fiecare nanobloc este apoi inserat într-un astfel de locaş. Metode prin care se pot configura nano-blocurile au fost deja puse la punct. Domeniul nanotehnologiilor este abia la început, dar promite avansuri tehnologice extraordinare, rata descoperirilor fiind într-o continuă acceleraţie. Se anticipează ca în circa 7-10 ani să se poată deja construi nano-circuite digitale funcţionale.

14

Academicianul Alexei Simaşchevici în studiul heterojoncţiunilor neideale D.Şerban

Institutul de Fizică Aplicată, AŞM

Institutul de Fizică Aplicată, AŞM, Chişinău, str. Academiei, 5, MD-2028 serban@mail.md

Interfaţa majorităţii heterojoncţiunilor (HJ) este neideală. Heterocupluri de materiale ce formează joncţiuni cu interfaţa ideală sunt foarte puţine, acestea pot fi privite ca excepţie faţă de cazul general. Se consideră, însă, că numai HJ ideale au perspective, pot fi şi sunt aplicate în practică. Drept confirmare a acestui fapt servesc cercetările comunităţii ştiinţifice mondiale asupra HJ în sistemul GaAs-AlGaAs rezultatul cărora au permis ameliorarea parametrilor unui şir de aparate cu semiconductori şi crearea altui şir de dispozitive principial noi. În cazul structurilor neideale se poate presupune că interfaţa neordinară poate determina proprietăţi neordinare ale acestor structuri. În caz general materialele semiconductoare aflate în contact diferă prin structura cristalină, lărgimea benzii interzise, afinitatea faţă de electron, permitivitatea relativă, masa efectivă a purtătorilor de sarcină şi prin alţi parametri fizico-chimici şi electrofizici. Reieşind din aceasta, devin evidente dificultăţile atât în cercetarea experimentală, cât şi în expunerea teoretică a acestora. Or, anume această eterogenitate, de rând cu mari dificultăţi, crează şi condiţii favorabile pentru dirijarea parametrilor şi lărgirea capacităţilor funcţionale ale dispozitivelor semiconductoare. Academicianul A. Simaşchevici a stat la originea cercetărilor experimentale ale HJ neideale. Un interes aparte prezintă structurile neideale asimetrice, asimetria cărora se manifestă în nivelul de dopaj diferit ai componentelor HJ, totodată, componenta cu banda interzisă mai largă având concentraţia purtătorilor de sarcină cu 2-3 ordine mai mare faţă de componenta cu bandă interzisă îngustă. Aşa structuri pot fi calificate ca structuri de tip metal-semiconductor (MS) sau metal-izolator semiconductor (MIS), cercetările experimentale şi teoretice ale cărora sunt mai bine dezvoltate şi, astfel, poate fi înlesnită elucidarea proceselor fizice, care au loc la interfaţa acestor structuri sub acţiunea diferitor factori exteriori. Din această categorie de structuri vom evidenţia cele formate în baza materialelor semiconductoare CdTe, ZnTe, InP, GaAs, Si, utilizate mai larg pentru conversia fotovoltaică a energiei solare şi a semiconductorilor cu nivel înalt de dopaj ZnSe, In2O3, SnO2 şi a combinării ultimilor materiale ITO. Studiul obiectelor nominalizate a permis obţinerea următoarelor rezultate: S-a stabilit corelaţia între starea suprafeţei (prezenţa stratului intermediar, grosimea, compoziţia, structura şi transparenţa pentru purtătorii de sarcină) şi condiţiile de obţinere ale structurilor cercetate; S-a determinat rolul stărilor de suprafaţă la interfaţa obiectelor de studiu în formarea barierei de potenţial; S-a elucidat rolul stratului izolator intermediar, obţinut concomitent cu formarea barierei de potenţial la interfaţa structurilor anizotipe ITO/p-InP, ITO/p-GaAs şi izotipe ITO/n-CdTe, ITO/n-Si în realizarea injecţiei intense a purtătorilor de sarcină în materialul de bază la polarizare directă a primelor joncţiuni şi inversă a celor secunde; S-a constatat o rezistenţă sporită la radiaţia ionizantă a celulelor solare (CS) în baza joncţiunii ITO/p-InP faţă de CS cu GaAs sau Si. Degradarea mai redusă a CS ITO/p-InP e determinată, ca şi în cazul altor joncţiuni cu InP, de rata mai redusă de introducere a defectelor în InP la iradierea cu fascicul de protoni sau electroni şi de eficienţa mai înaltă de tratare a defectelor; S-a demonstrat că intensitatea fotoluminescenţei (FL) în regiunea sarcinii spaţiale a structurilor cu barieră de potenţial, utilizate în calitate de convertoare fotovoltaice, poate servi drept criteriu al perfecţiunii heterojoncţiunii. Apariţia FL în absenţa polarizării externe, observată în cazul structurilor ITO/n-CdTe, indică separarea incompletă a purtătorilor de sarcină fotogeneraţi,, în timp ce absenţa FL în aceleaşi condiţii în cazul structurii ITO/p-InP caracterizează capacitatea joncţiunii de a separa complet purtătorii de sarcină de neechilibru; S-au elucidat procesele electronice în structurile p+-nSi/n+ITO, care determină forma de tip S a dependenţei curent-tensiune la polarizare directă a acestora. S-a constatat că comutarea structurii din stare de rezistenţă înaltă în stare de rezistenţă joasă e determinată de injecţia dublă a purtătorilor de sarcină în regiunea n-Si a structurii. În baza efectului de blocare sub acţiunea luminii a unuia din canalele de injecţie, s-a demonstrat posibilitatea de recomutare a structurii din stare de rezistenţă joasă în stare de rezistenţă înaltă; S-a confirmat perspectivitatea aplicării practice a unei noi categorii de heterostructuri, formate din materiale semiconductoare cu banda interzisă largă şi conductibilitate metalică şi materiale semiconductoare cu parametri maxim adecvaţi conversiei fotovoltaice a energiei solare. Celulele solare în baza joncţiunilor ITO/n-CdTe, ITO/p-InP şi ITO/n-Si posedă respectiv randamentul de 6,3%, 10,6% şi 10,4%.

15

Многоквантовые переходы в двухуровневых системах С.А.Баранов

Институт прикладной физики Молдавской АН , 5 Academiei Chisinau , Moldova.

baranov@phys.asm.md

Это сообщение посвящено памяти Виктора Анатольевича Коварского. Задача о многоквантовых переходах в обобщенной двухуровневой системе, является

классической задачей, решенной под руководством В.А. Коварского. Рассмотрим гамильтониан взаимодействия двухуровневой системы в дипольном приближении

при взаимодействии его с линейно поляризованным классическим полем (см. [1]) Н= Н0 +V(t) , (1)

где Н0 – гамильтониан двухуровневой системы со значением собственных энергий –Е0 и Е0 , а взаимодействие с полем описывается

V(t) =-(D E)sinωt , (2) где D – дипольный момент, который может иметь диагональные - d и недиагональные - v компоненты, E

– амплитуда электрического поля. Обозначим в дальнейшем ωt=z. Так как задача точно не решается, применим квазиклассическое (адиабатическое) приближение. В этом случае решение задачи сводится к решению следующего дифференциального уравнения для амплитуд перехода из X1 ( с энергий –Е0 ) в X2 ( с энергий Е0)

d2 X1,2/ dz2 + n0 2 / 4 ( Ω1,20) 2 X1,2 = 0 , (3) где n0 = 2Е0/ω - квантовость процесса (выбираем систему единиц, в которой постоянная Планка равна единице), ( Ω1,20) 2 = ε2(z) +- {2i / n0 } v (z) {d[ŋ(z) / v (z)] / dz} (4) где ŋ(z)= 1 + d(z), d(z) = d sin z , v (z) = v sin z ( функция Ω1,20 редуцирована по сравнению с точной функцией Ω1,2 на величину шварцевской производной, которая имеет порядок {1 / n0 }2), а величина

ε2(z) =ŋ(z) 2+ v (z) 2 (5) представляет из себя адиабатическую энергию. Уравнение ε2(z)=0 (6) определяет точки ветвления адиабатической энергии, существенные для неадиабатических переходов.

Дальнейшее решение задачи сводилось к применению метода ВКБ, что позволило найти формулу для вероятности многоквантового перехода для случая произвольного отношения диагональной и недиагональной части оператора взаимодействия с электромагнитным полем (см. [1]).

Развитый метод позволяет учесть также стохастические свойства классического поля, которое вызывает квантовые переходы, а также расширить применимость формул для более сильных полей, когда неприменимы методы теории возмущений.

Литература

[1].В.А. Коварский, С.А. Баранов. ЖЭТФ. Т. 71. В. 6 (11) (1976) . С. 2033 – 2038.

16

Long-time observations of atmospheric optical and microphysical properties at the Kishinev site within the aeronet network

A.Aculinin, V.Smicov

Atmospheric Research Group (ARG), Institute of Applied Physics, 5 Academiei Str., Kishinev, MD-2028, Moldova;

phone: 738187, fax: 738149; e-mail: akulinin@phys.asm.md

Regular measurements of aerosol optical and microphysical properties in column of atmosphere are being

fulfilled at the Kishinev site in Moldova since September 1999. Observations are carried out within international Aerosol Robotic Network (AERONET) project managed by NASA/GSFC (http://aeronet.gsfc.nasa.gov). The study was conducted at the ground-based solar radiation monitoring station (http://arg.phys.asm.md) at the Institute of Applied Physics using a multiwavelength sun-photometer Cimel CE-318 (see Figure1). The site is a member of globally distributed network of sun-photometers. The instrument operates in automatic mode with precise Sun pointing system. Main output products of observations are column-integrated aerosol optical and microphysical parameters, such as aerosol optical depth AOD τa(λ), Angstrom exponent α440_870, aerosol single scattering albedo (SSA) ωa,λ, real n and imaginary k parts of refractive index of aerosol matter, and volume size distributions dV/dlnR. Columnar optical and microphysical characteristics of aerosol particles are routinely computed with the AERONET smart inversion algorithms by using data from direct solar and sky diffuse spectral radiance measurements in seven spectral channels at 340, 380, 440, 500, 670, 870, and 1020 nm in cloudless atmosphere.

The bandwidths of the solar radiometer’s interference filters are varied from 2 nm (UV channels) to 10 nm (for visible and near-IR channels) at FWHM.

Measurements of aerosol optical properties, which are carried out at the ground station, supplement basic radiometric observations to find relationships between aerosol properties and solar radiation levels at the Earth’s surface. Columnar AOD is very sensitive to aerosol chemical composition, aerosol total content in atmosphere, and meteorological conditions. It is used as key parameter in modeling of radiation transfer, modeling of regional and global climatic changes and for assessment of atmospheric air contamination. Aerosol characteristics in-situ of observations are determined by particulate emissions from local sources, i.e. from urban transport, sweepings (biomass) burning in urban environment and around the city, and from episodes of long (medium)-range transport of particulates, i.e. originated from regions with numerous loci of fires, Sahara dust outbreaks, from highly polluted regions situated on the way of moving air masses. As an example of aerosol optical properties variability a time-series of monthly means AOD m at λ=500 nm measurements fulfilled at the Kishinev site from 1999 to 2008 is presented in Figure 2. It is at once apparent that time-series reveals seasonal variation and temporary impacts of polluted air masses upon the optical properties of

atmosphere. Minimum values of AOD are observed in winter period (December-February) with m ~0.09-0.23; maximum values of AOD are common to summer season (July-August) with m ranged from 0.19 to 0.48. It can be clearly seen the presence of few peaks in time-series of AOD, namely, in August 2001, August-September 2002 and April 2003. In 2001 and 2002 peaks of AOD m are attributed to influence of highly polluted air masses loaded with smoke particulates and long-range transported from regions with intensive biomass burning. The highest peak of monthly means of AOD with m~ 0.57 was observed in September 2002. This was due to numerous loci of forest and peat fires in the west regions of Russia, Belarus and Ukraine during this period. The highest ever measured daily mean AOD at the Kishinev site was equal to 2.15. Some episodes of Sahara dust intrusions observed in April 2003 were responsible for originating of AOD peak in time-series. Multiyear(MY) monthly mean of AOD at the Kishinev site from 1999

Figure 1. Sun-photometer Cimel CE -318 in operation within the international AERONET project, NASA/GSFC. The instrument is a part of the ground-based station placed at the roof of the Institute of Applied Physics ASM, Kishinev, Moldova (47.0013oN, 28.8156oE; 205 m a.s.l.).

17

to 2008 consists of MY= 0.21±0.06. Another output product from

procedure of inversion of solar direct and sky diffuse radiances represents the volume size distribution function (VSDF). By way of an example, multiyear monthly mean of VSDFs are shown in Figure 3. It is clear seen that VSDFs have bi-modal structure consisting of aerosols of ‘fine’ mode with R< 1μm and ‘coarse’ mode with R> 1 μm. Effective radius for ‘fine’ mode ranges from 0.15 to 0.19 μm and for ‘coarse’ mode ranges from 2.16 to 2.91 μm. For all months modal values or peaks of retrieved VSDF for ‘fine’ mode exceed the peak values of VSDF for ‘coarse’ mode; ‘fine’ to ‘coarse’ ratio of peaks ranges from 1.30 (in May) to 3.04 (in February). Large values of peaks ratio ~2.0 observed in spring and summer are connected with contribution from submicron hygroscopic (sulphate) aerosol, dust and smoke particles prevailing over contribution from large particles. In winter, large values of ratio with ~ 2.48- 3.04 are due to very small contribution from large particles of ‘coarse’ mode. At the same time ‘fine’ to ‘coarse’ ratio of volume concentrations ranges from 0.70(in May) to 1.82 (in December). Lowest value of volumetric ratio observed in May might be connected with episodes of regular intrusion of air masses heavily loaded with Sahara dust.

Figure 2. Time-series of monthly means of AOD m measured at the ground-based station at the Kishinev site in the course of period from 1999 to 2008.

Figure 3. Monthly mean volume size distribution functions dV/dlnR retrieved from direct sun and sky diffuse radiances and averaged over period from 1999 to 2007.

18

General principles of operation and applications of fiber optic sensors A.M.Andriesh, I.P.Culeac, M.S.Iovu, Iu.H.Nistor

Institute of Applied Physics of the Academy of Sciences of Moldova,Chisinau, Str.Academiei 5

andries@asm.md

Fiber optic sensors (FOS) have a large spread of applications in telecommunications, defense and

aerospace, test and measurement, automotive, chemical, and various other industries. The large spread of fiber optic sensors is due to advantages that are offered by this category of sensors: high

sensitivity, reduced dimensions, relatively low costs, possibility for multiplexing, ease of operation, etc. In the report a review of state of the art on fiber optic sensors designed for different industrial application

will be presented. The classification of fiber optic sensors, their advantages, and experimental results are examined

The general principle of operation of a fiber optic sensor is based on the variation of optical characteristics of the light transmitted, reflected or emitted by optical fiber or sensing element under external perturbation.

The paper focuses on fiber optic sensors based on intensity modulation, phase modulation, frequency modulation, polarization modulation et else.

A modified configuration of fiber optic sensors based on microbending induced modes has been elaborated in the Center of Optoelectronics of IAP .The sensor can measure the displacements in the range of 5.0-60 micrometers.

The method based on the effect of variation of the speckle pattern in the far-field of a multimode fiber also will be described. The data concerning the development in the Center of Optoelectronics of a high sensitivity fiber-optic method for registration of infrared radiation will be presented.

The method can be applied for registration and measurement of low intensity IR radiation, as well as for: temperature measurements, registration of mechanical vibrations, etc.

In the report will be shown that the development of a large variety of fiber optic sensors is capable to replace traditional electrical sensors in telecommunications, defense and aerospace, test and measurement, bio-

medical, automotive, chemical, manufacturing, medicine, and various other industries.

19

Proprietati electrice si fotoelectrice ale hetero jonctiunilor CdS-CdxZn1-xTe Antoniuc C., Gaşin P., Coval A.

Universitatea de Stat din Moldova, mun. Chişinău, str.A.Mateevici, MD 2009

Compuşii semiconductori A2B6 şi-au ocupat deja locul cuvenit în clasamentul materialelor semiconductoare cu aplicaţie practică, în special la fabricarea dispozitivelor optoelectronice. Neîndoelnic că şi heterojoncţiunile (HJ) în baza lor care pot asigura realizarea de celule solare de performanţă foarte ridicate, aşa cum în acestea, sînt reduse considerabil pierderile prin recombinare la suprafaţă prin efectul de fereastră.

Scopul lucrării este obţinerea şi studierea proprietăţilor fizice a HJ cu straturi subţiri CdS-CdxZn1-xTe. Prin tehnicile volumului cuaziînchis, pe suporturi de sticlă acoperite cu un strat conductor de SnO2 au fost obţinute HJ cu straturi subţiri nCdS-pCdxZn1-xTe în care stratul de Cd0,95Zn0,05Te, fiind un material semiconductor cu banda energetică directă, absorbant puternic de radiaţie luminoasă, juca rolul de strat activ, iar cel de CdS (Eg=2.5 eV) – de fereastră. Ca suporturi au fost folosite plăci de sticlă acoperite cu strat conductor de SnO2 cu transmitanţa 80% şi rezistivitatea de 10-3 Ω⋅cm.

Pulberea policristalină Cd0.95Zn0.05Te, preparată din monocristale corespunzătoare crescute prin metoda cristalizării orientate din elementele respective Cd, Zn, Te în proporţii corespunzătoare a servit ca sursă de evaporare. Straturile policristaline de Cd0,95Zn0,05Te aveau grosimi cuprinse între 5...15 μm, CdS – 0,5...1,0 μm, grosimi, controlate de timpul de depunere. Iniţial, HJ obţinute , neprocesate, nu posedau parametrii optoelectrici semnificativi. Procesarea, care consta din tratarea într-o soluţie saturată de CdCl2, urmată de o etapă de tratare termică şi una de eliminare, prin corodare chimică, a stratului de suprafaţă contaminat, sensibiliza esenţial structurile obţinute, astfel că, acestea deveneau, efectiv, valide pentru măsurători. În calitate de contact posterior pentru structurile preparate finale s-a folosit Ni metalic.

Studierea caracteristicilor volt-amperice permit de a presupune că mecanismul dominant pentru transportul purtătorilor de sarcină în acestea structuri este unul combinat de tunelare-recombinare.

Proprietăţile fotoelectrice ale structurilor obţinute au fost studiate la iluminări prin componenta CdS (Eg=2,42eV) cu lumină integrală şi monocromatică.

Trasarea caracteristicilor spectrale a evidenţiat o bandă relativ îngustă mărginită de lungimile de undă 0,82...0,90μm pentru structurile netratate, iar pentru cele tratate [1] s-a observat un răspuns spectral deosebit, atît prin intensitate cît şi prin lărgimea fîşiei spectrale cuprinsă în limitele 0,50...0,85 μm. Deci se poate afirma că tratarea termică accentuează sensibilitatea, lărgeşte domeniul spectral al sensibilităţii astfel că, în curentul fotogenerat de structuri îşi aduc aport ambele componente semiconductoare ale structurilor studiate.

Cercetarea caracteristicilor la iluminare cu lumină integrală a stabilit o dependenţă liniară pentru curentul de scurtcircuit şi tendinţa de saturaţie a tensiunii electromotoare Ucd.

Cercetarea caracteristicilor de sarcină a eşantioanelor tratate termic la temperatura 300 K la iluminare cu lumină integrală 100 mW/cm2 la temperatura 300 K au permis determinarea curentului de scurt circuit Isc=25 mA/cm2 şi tensiunii de circuit deschis Ucd=0,745 V generate de structuri.

Din caracteristicile de sarcină trasate în aceleaşi condiţii de iluminare au fost determinaţi parametrii energetici fundamentali ale structurilor cercetate în funcţia de convertoare de energie luminoasa în energie electrică. Pentru coeficientul de umplere FF şi randamentului conversiei fotoelectrice sau obţinut valori maximale de FF= 0,38 si respectiv η=5,8 %.

În concluzie menţionăm că procesarea structurilor CdS-CdxZn1-xTe în soluţie saturată de CdCl2, obţinute prin tehnicile volumului cuaziînchis conduce la formatarea acestora ca HJ (celule fotovoltaice) şi contribuie esenţial la creşterea parametrilor specifici, inclusiv a celor energetici.

Bibliografie. 1. N.Romeo , A.Bosio, R.Tedeschi et al.//Solar Energy Materials&Solar Cells. –1999. –T.58 –p.209-218.

20

Analysis methods and devices of the pulsation wave and of variations of the heart beat

Nicolae Armencea, Victor Sontea

Technical University of Moldova sontea@mail.utm.md

The possibilities of the pulsation diagnostic are caused by the fact that the signal of the periferic pulse

contains in itself more information about physiological processes which take place in the body, and, first of all, in the cardio-vascular system.

The devices which were developed in the last years allow quick and effective evaluation of the cardio-vascular state and finding the development indexes of cardiac diseases. The working principle of this devices is based on the obtaining the pulsation wave using the photoplestimografic transducer and later analysis of the wave. The Puls Trace Device measure the reflection index – ratio of the sistolic and diastolic components of the pulsation wave - the ratio of the patient height and the time delay between these components. First index characterizes the tone of the small and periferical blood vessels. The second parameter is linked with the speed of the pulsate wave and reflects the rigidity level of the big arteries. In [2] is measuring 4 time parameters and 10 parameters of amplitude of the pulsate wave. Another contemporaneous method for determining the state of the regulation systems of the body, which is already applied in medicine, is the analysis of the Heart Rate Variability. At the heathy people, the time delay from the start of one pulse cycle to another is not constant, it is changing permanently. This method is based on the presentation of the heart rate as a random process, which is then analysed and processed thru different methods of statistic methods and spectral analyse.

Heart Rate Variability analysis allows to obtain information not only about cardio-vascular system state, but about the whole body, operation of the vegetative nervous system: sterss level, biological age etc.

From the Heart Rate Variability, which has a complex nature, can be separated and the Respiratory Sinus Arrhythmia. The monitoring of the RSA allows to appreciate the activity and state of the most important systems of a body: cardiovascular and respiratory systems. The RSA index can be calculated as the difference between the minimum and maximum values of the frequence of the cardiac contractions during a respiratory cycle. For determining the RSA it is necessary sincronous recording of the respiratory cycles and electrocardiogram or photoplestimographs. This can be hard to do in some cases.

Because of this, there are used reduced methods: calculation of the difference between cardio cycles for 10 pulsate waves or calculation of the mean sqare value of the cardio cycles for 100 consecutive pulsate waves.

We propose a method for cardio respiratory sistems, whici is based on the measurement of the time and amplitude parameters of the photoplestimogtaphs during expiration and inspiration.

Both methods: analysis of the pulsate wave and analysis of the Heart Rate Variability a non –invasive, quick and presents effective methods for evaluation of the health state and. In combination with different medical probes, allows medical examination without internation in the hospital.

The measurement system for both methods have the same base equipement and it is rational to connect them, having just different modules for intergace and different programs.

Bibliography

1. Pulse Contour Analysis, Pulse Prace PCA-2, www.smartmedical.co.uk/catalogue 2. Nicolae Armencea, Victor Şontea, Anatol Iavorschi, Dmitri Anghiloglu, Anatol Creţu, Identificarea

parametrilor cantitativi a fotopletismogramelor: Proceedings of The 2 nd International Conference Telecommunications, Electronics and Informatics, Chisinau, 15-18 may 2008. V I pp 159-164

3. Victor Şontea, Nicolae Armencea, Dmitrii Anghiloglu, Anatolie Iavorschi, Valerii Pahomi, Sistemul Informaţional al Dispozitivului Fotopletismograf FPG-2: Proceedings of The 6 th International Conference on „ Microelectronics and Computer Science”, Chişinău, 1-3 october 2009, p. 245

4. А.А.Дорофеюк, А.А. Десова, В.В. Гучук, Ю.А. Дорофеюк, Измерение, преобразование и обрaботка пульсового cигнала лучевой артерии в медицинской диагностики, Мир измерений, N1, 2009

21

Device for high voltage current rectification at the high temperature

Baranov Simion, Cinic Boris and Suman Victor

Institute of Electronic Engineering and Industrial Technologies ASM, Chsinau, MD-2028; Scientific and Engineering Center “INFORMINSTRUMENT”, 6 str. Puskin, Chisinau, MD-2009 Moldova;

In industrially developed countries more than 70% generated electricity passes through semiconductor

transformers [1]. A separate interest represents the high voltage current rectifying (more 1000V) [2]. The main elements of the transformer are the semiconductor power devices (SPD), which worth 18 billion USD as world production volume. Gallium arsenide (GaAs) application to SPD manufacture extends the space of value properties and the application fields of this semiconductor material [3].

The object of this paper is GaAs introduction in high voltage SPD production for the extension of its operating temperature up to 200 oC, the diminution of the reverse recovery time and the increase of industrial manufacture efficiency of the diodes column.

The big reverse voltage of p-n junctions determines the dimensions of base, which can reach 80-100 μ depending on impurity concentration. In this reason it was selected and developed the GaAs layers growth technology in Ga – AsCl3 – H2 system, which got a wide-scale application on thin layers manufacture [4] and is considered one of the best pure technology of the A3B5 semiconductor compound structure growing. The chloride method of epitaxial allows growing the semiconductor layer with 9-15 μ/h of speed Fig.1, which is enough to grow the base layer of high voltage device with three-dimensional homogenous morphology in about 4-6 hours.

02468

1012141618

0 0,5 1 1,5 2

Supersaturation of AsCl3, %

Spee

d of

gro

win

g, u

/h

1

2

FFiigg..11 SSppeeeedd ooff tthhiicckk eeppiittaaxxiiaall GGaaAAss ssttrruuccttuurree ggrroowwiinngg iinn ffuunnccttiioonn ooff ssuuppeerr--ssaattuurraattiioonn ooff AAssCCll33.. ((CChheemmiiccaall ttrreeaattiinngg ooff tthhee rreeaaccttoorr aatt eevveerryy tteecchhnnoollooggiiccaall pprroocceessss,, 11--TThhiicckknneessss 4422 mmiiccrroonn,, 22--TThhiicckknneessss 1100 mmiiccrroonn))

The high voltage p-n junctions passivation and protection at high temperature is solved by the chemical method of precipitation or anodic oxidation of own oxide on GaAs surface with thermal treatment of gallium oxide in the inert medium at the 560-600 oC temperature for 30-50 min. It is known, that gallium oxide has many modifications depending on the precipitation technology. The β-modification of the oxide is obtained by thermal treatment, which is the most stable and loses its property to dissolve in acid and alkaline solutions. The electrical properties of gallium oxide diminish the probability of electrical disruption on p-n junction surface so forming conditions for this one in semiconductor volume.

As results, the working temperature of the diodes column with 4.2 kV of voltage increases up to 200 oC, the reverse recovery time diminishes lower than 60 ns while the manufacture effectiveness of diodes column increases more than 40%. It can be applied in rectification for high voltage power supply of X-ray generator.

The work was supported by SCSTD of the ASM Project Nr.147.PA (08.808.05.03A)

References 1. Силовая полупроводниковая электроника и импульсная техника. Грехов И. В. (2007) Очередное

заседание Президиума РАН от 24.04.2007. http://www.ras.ru/news 2. High voltage silicon diode ESGC30 Fuji Electric,

http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/E/S/J/C/ESJC30.shtml 3. Power Gallium Arsenide Devices. J.I. Alferov, V.M. Tuchkevich, V.E. Tchelnokov. Electrotehnica 1984,

v.3, p.25-28. 4. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Ред. Д.В. Лоренцо, Д.Д. Канделуола. Пер. с англ.Г.В.

Петрова. М. Радио и связь 1988, 496 с.

22

Application of two dimensional Heisenberg model to nucleation theory S.A.Baranov

Institute of Applied Physics Moldavian Academy of Sciences, 5 Academiei Chisinau , Moldova. baranov@phys.asm.md

The control of the dimensions of the particles and layers of particles in the electrochemical processes is one

of the basic problems of the various forms of electrochemical technologies. The transition from macro- to micro- and nano- technologies is one of the basic tendencies in the development of the modern electrochemical dimensional treatment methods. The nucleation phenomenon plays a dominant role in the nano- treatment processes. The nucleation phenomenon, i.e., the formation of the nuclei, has long been studied in kinetic of phase transition. Along with the particular technological problems of the resolution of the electrochemical questions, are the general approaches to these problems, specifically, the evaluation of the possible dimensions of the particles and their connection with the energetic parameters. The present article is devoted to this question. The classic Heisenberg statistical model for the two-dimensional space that is applicable for the study of the magnetization of the ferromagnetic material is examined in [1]. It is known that the statistical sum and the thermodynamic functions are determined by the local energy minima. We shall use the variation minimum of the exchange energy (in the cylindrical coordinate system) that was proposed in [1]. As in [2 - 4], we examine the low- temperature limit, when a single energy minimum is significant. Therefore, we replace the variation of the free energy by the variation of the energy of statistical model:

δ ∫ Т(ρ) dv = 0, (1) the integration is performed over the entire volume v of particulars, and Т(ρ) =A/2{(θ′)² + a² (sin θ)²/ ρ ²}, (2) where ρ = r/ rс is the radial relative coordinate (0 < ρ < 1), θ(ρ) is the angle between the cylinder axis and the magnetization vector (π < θ(ρ) < π ⁄2),

a² = (B-1) / A , (3) where A is the exchange interaction constant, B is anisotropy coefficient [2 - 4]. We will examine the nucleation of cylindrical particle. The exchange energy Т(ρ) is the classic analog in the Heisenberg model for the two-dimensional space (see, for example, [2]). Then follows from (2) and from (3) the known nonlinear equation that was presented, specifically, in [11 - 4]:

θ″ (ρ) + θ′(ρ)/ ρ – [a²sinθ cosθ]/ ρ² = 0. (4) To find the nohomogeneous equation that physically describes the nucleation process, we specify the corresponding boundary conditions in the form

θ (ρ) = π, ρ =0; (5) θ (ρ) = π /2, ρ =1. The analogous problem of determining the magnetization of the infinite cylinder was examined previously [1 - 4], for which was found the analytic relation: tg {θ/2} = 1/ ρª. (6) We use the solution (6) in equation (2), and we find: Т + W= 2 Aa² (ρ) ²ª/ [ρ² (1+ ρ²ª)²] . (7) Let's analyze solution (7). In that specific case of absence of anisotropy (when a²=1) energy of the surface of the cylinder (at ρ²=1) goes to A. In a case when a²>1, the energy on a surface of the cylinder goes to А a². It is possible to consider given parameter А a ² as the value of the surface energy. The energy inside a particle goes to not zero value if a²=1. On the other hand the energy is equal to zero if a²>1. Characteristic gap of free energy can correspond to phase transition, when in system is infinitesimal anisotropy. Such phase transition can give the result in jump of change of distribution of magnetization. The similar phase transitions are known. It is received here as the simple analytic solutions. The energy Т of particles, in a case a²=1, is equal А.With decrease of sizes of particles the role of a thermodynamic condition the surface is increasing. The given elementary model showed, that in this case becomes difficult to separate thermodynamic functions on the volumetric thermodynamic functions and the surface thermodynamic functions. It is possible to do using large parameter a² >10.

References

[1] G. Woo J. Math. Phys. 18, 1284 (1977). [2] S. A. Baranov, D. Laroze, P. Vargas, M. Vazquez, Physica B. 372, 320 (2006). [3] D. Laroze, S. A.Baranov, P. Vargas, M. Vazquez. Phys. Stat. Sol. C. 4, №11, 4170, (2007). [4] S. A. Baranov., Yu. D. Gamburg, A.I. Dikusar. Surf. Engineer. and Appl. Electrochem . 43, №2, 107, (2007).

23

Use of the cast amorphous microwire for radioabsorbing materials .

S.A.Baranov

Institute of Applied Physics Moldavian Academy of Sciences, 5 Academiei Chisinau , Moldova. baranov@phys.asm.md

Microwave engineering is of great importance in a wide spectrum of applications most of them related to

wireless telecommunications systems, as in telephone, broadcast satellite television, or in satellite global positioning. Radar systems are also very useful for detecting mobile targets in air, sea or ground, for air-traffic control or missile tracking radars, and for a wide variety of remote sensing systems. In addition, resonance phenomena appearing at microwave frequencies offer an opportunity for novel applications in heating systems, medical diagnosis and treatment or just new effects in basic science. In all these cases, the involved phenomena are characterized by millimeter electromagnetic waves with frequencies in the range from 500 MHz to 30 GHz. The microwave electromagnetic response is analyzed for a composite material consisting of amorphous magnetic microwire covered by insulating coating. This material can be employed as radioabsorving screening. The existence of resonance of magnetic permeability is analyzed in the very high frequency range of the electromagnetic field considering their particular magnetic characteristics as magnetostriction Radio absorption properties of glass-coated microwires embedded in suitable polymeric matrix have been investigated experimentally. Fe-based microwires with large and positive magnetostriction exhibit outstanding radio absorption in the microwave range 8-10 GHz. (see in [1]). Optimum results of resonant absorption are obtained for microwires taken as dipoles of length L = 1÷3 mm with a nucleus diameter of 1÷3 μm. This dipole length L is comparable to the half value of the effective wavelength Λeff/2, of the absorbed field in the composite (i.e., the geometric resonance). The curve giving the frequency dependence of the attenuation, with maximum of about 30 dB [2, 3], is the same as that of the magnetic permeability evolution around the natural ferromagnetic resonance, except that its half-width is greater. It has also been established experimentally that strong inductive coupling exists between such dipoles, which can be estimated by introducing the inductive impedance Y ~ μ ln(2L /rc) and its ratio to the resistance (Rdc) of dipole length, Y/ Rdc ~ rc ² /δ ² (where δ is the skin layer depth, r is the radius of amorphous metal core of microwire). A reduction of r compared with δ may increase the absorption coefficient through the increase of the dipole concentration. Additionally, the width of the composite absorption curve can be increased by a dispersion of the magnetic susceptibility, which can extend the geometric resonance. In summary, glass-coated amorphous microwires have been used to fabricate composites in the form of planar radio absorbing screens less then 2 mm thick operating efficiently in the range 8-11 GHz of technological interest for radio-absorption [1 - 3]. The use of thinner microwire can improve the characteristics of the screens by increasing the effective conductivity of the simple. Knowing the width of the dispersion curve of magnetic permeability, one can more efficiently use a microwire for creating radar-absorbing materials. We can change magnetostriction and chemical structure of a microwire, accordingly to change 1) The resonant frequency in a range from 1 GHz up to 12 GHz; 2) The maximum of the imaginary part of the magnetic permeability; 3) The width of resonant curve (from magnitude more than 2 GHz to magnitudes of about 0.5 GHz

References

1. S..A. Baranov.” Use of microconductor with natural ferromagnetic resonance for radio-absorbing materials” Technical physics letters. Vol. 24, No 7, pp. 549-550. 1998. 2. S..A. Baranov. ” Use of the cast amorphous microwire with natural ferromagnetic resonance for radio-absorbing material” Moldavian Journal of the Physical Sciences . Academy of Sciences of the Republic of Moldova .Chisinau. 2007 v. 6 No 3-4 , p. 369 - 372 3. S.A. Baranov, S.I. Tarapov, M.Vazquez .” Use of the cast amorphous microwire with natural ferromagnetic resonance for high frequencies radio-absorbing materials and screens” Proc. Of 7th International. Kharkov Symposium on Physics and Engineering. of microwaves . MSMW`07 June 25-30 2007 Kharkov. Ukraine. P. 813-815.

24

Ferromagnetic resonance in micro - and nanowires S.A.Baranov

Institute of Applied Physics Moldavian Academy of Sciences, 5 Academiei Chisinau , Moldova.

baranov@phys.asm.md

The discovery of natural ferromagnetic resonance (NFMR) in amorphous microwires was preceded by their study with standard FMR methods. After this discovery shift in the resonant field due to core deformation of microwire associated with fusing the glass and core at the temperature of microwire formation was observed. Besides this shift, the FMR line width is of interest because it characterizes, in particular, the structural parameters. A microwire was considered as ferromagnetic cylinder with small radius rm. For its characterization we introduce following parameters:

1. The depth of the skin layer is: δ = [4π(μμ0)eΣω]-1/2 = δ0 (μ)e-1/2 , (1a) (μμ0)e - is the effective magnetic permeability, and Σ - is the microwire electrical conductivity. In the

case of our magnetic microwires, with the relative permeability ׀μ׀ near resonance of the order 102, (ω ~ (8 - 10) GHz) δ changes from 1 up to 3 μm.

2. The size of the domain wall (according to Landau-Lifshits theory) is: Δ = π( A/K) 1/2 ~ 10 – 0,1 μm , (1b) where A is the exchange constant and K is the energy anisotropy of microwire. 3. Radius of single domain (according to Brown theory) is: a = (1,84/ Ms)( A/2π) 1/2 ~ 0,1 – 0,01 μm, (1c) where Ms is the saturation magnetization of microwire.

According to [1] the frequency of the NFMR is: (ω / ץ )2 = (He +2π Ms)2 - (2π Ms)2 exp {-2δ/ r m}, (2) where ץ is the gyromagnetic ratio ( 2,8 ~ ץ МHz/Oe) . The anisotropy field is He ~ 3λσ/Ms, where λ is the magnetostriction constant; and σ is the effective residual stress originated from the fabrication procedure (see [2, 3]). If r m < δ , we have:

(ω / ץ ) = He +2π Ms . (3) If r m > δ , the formula for the NFMR frequency can be written as (see [2 - 4]):

(ω / ץ )2 = (He +4π Ms) He . (4) Since skin penetration depth of microwave field in metallic wire is relatively small in comparison with its diameter the resonant frequency of FMR can be determined by means of Kittel formula (eq.(4)). Taking into account magnetoelastic stress field [2 - 4], for thin film magnetized parallel to the surface, we can obtain:

[ ])4)(

2

SSXZ MMNNН πγω

+′−′+=⎟⎟⎠

⎞⎜⎜⎝

⎛ × ))(( SYZ MNNH ′−′+ (5)

where H is resonant field of FMR; ZYX NNN ′′′ ,, are components of tensor of effective demagnetizing factors in case of magnetoelastic stress [2].

For the frequency of NFMR in simple approximation formula (5) can be written as:

21

14.04.0)( ⎟

⎠

⎞⎜⎝

⎛+

≈x

xoGHz ωω

where

( ) 216105,1)( λω ≈GHzo (6)

[1]. S. A. Baranov, S. K. Zotov, V.S. Larin and A.V. Torkunov. Fiz. Met. Metalloved.. 69. 172 (1991) (in

Russian). [2]. S. A. Baranov, V. N. Berzhanski, S. K. Zotov, V. L. Kokoz, V. S. Larin and A. V. Torkunov. Fiz. Met.

Metalloved. 67. 73. (1989) (in Russian). [3]. S. A. Baranov, S.I. Tarapov, M. Vazquez . Proc. of 7th International Kharkov Symposium on Physics and

Engineering of microwaves . MSMW`07. June 25-30, (2007). Kharkov. Ukraine. P. 813. [4]. R.Zuberek, H. Szymezak, M. Gutowski, A. Zhukov, V. Zhukova, N.A.Usov, K. Garcia, M. Vazquez JMMM

316 ,. 890. (2007)

25

Size-Dependent Thermoelectricity in Gated Bismuth Telluride Nanowires I. Bejenaria,b, V. Kantsera

aInstitute of Electronic Engineering and Industrial Technologies ASM, Kishinev, MD2028, Moldova bDepartment of Electrical Engineering and Materials Science and Engineering Program, University of California –

Riverside, Riverside, California 92521 U.S.A.

Thermoelectric parameters of gated bismuth telluride nanowires grown along direction [110] were studied. A special attention was paid to the investigation of the competition between the size quantization and electric field doping effects. The analysis of the dependence of nanowire Seebeck coefficient, thermal conductivity, and carrier concentration on temperature, nanowire thickness, excess hole (electron) concentration and gate voltage showed that the size quantization and electric field doping effects can cooperate for enhancement of the nanowire thermoelectric figure of merit. Under applied positive (negative) gate bias the electron (hole) contribution to the thermoelectric power of the intrinsic quantum wires becomes dominant. The lateral electric field enables to increase the concentration of only type of carriers depending on the gate polarity. We have established that both the dimensional confinement and electric field effects lead to a reduction of the nanowire thermal conductivity. The Seebeck coefficient can be increased by a factor of two in nanowires of 7 nm thickness. The enhancement is larger for the positive gate bias because the electron mobility exceeds the hole mobility. In summary, for bismuth telluride quantum wires, the combination of the quantum confinement effects with properly applied electric bias can increase the thermoelectric power conversion by an order of magnitude. The work was supported by Fulbright Scholar Program.

26

Aspecte electrofizice la prelucrarea produselor lactate secundare

M. Bologa, E. Sprincean, A. Bologa, A. Policarpov, T. Stepurina

Institutul de Fizică Aplicată, AŞM, Chişinău, str. Academiei 5, MD-2028, mbologa@phys.asm.md

Prelucrarea electrofizică a produselor lactate secundare prezintă una din cele mai ambiţioase obiective şi perspective. Sunt cunoscute un şir de elaborări şi cercetări la tratarea zerului prin electroactivare şi electrodializă ce au ca scop atât obţinerea unor produse de o calitate înaltă, cât şi excluderea utilizării directe a reagenţilor chimici. Problema primordială a industriei, menţionată de Federaţia Internaţională a Lactatelor, este prelucrarea completă non – reziduală a laptelui. Aspectul ecologic este destul de ponderabil în vederea poluării mediului, fiind condiţionat de tehnologiile tradiţionale de prelucrare a produselor lactate primare. Este cunoscut faptul că circa 50% din conţinutul solid al laptelui trece în zer, cu aproape 200 diferite substanţe, principalele fiind: glucidele, proteinele, sărurile, şi practic lipsesc grăsimile. Conţinutul caloriilor este minimal, iar valoarea biologică înaltă, datorită fracţiei principale proteice a laptelui – proteinele solubile ale zerului şi practic toată lactoza. Procedeul propus este prelucrarea electrofizică a produselor lactate secundare cu extragerea concomitentă a concentratului proteico-mineral şi izomerizarea lactozei în lactuloză, ce permite elaborarea tehnologiei de prelucrare completă a laptelui. Aspectele electrofizice ale procedeului propus sunt condiţionate de mai mulţi factori precum: densitatea curentului electric, tensiunea, consumul de energie, temperatura, aciditatea activă, tipul diafragmei, conţinutul lichidului de lucru şi secundar. Ele au o contribuţie preponderentă la extragerea fracţiilor proteice în concentrat, însoţită de izomerizarea concomitentă a lactozei în lactuloză. Există diverse căi de optimizare prin combinarea parametrilor menţionaţi în scopul identificării variantelor optime. Spre exemplu, utilizarea membranei ionselective MK-40 şi aplicarea în calitate de lichid secundar a soluţiilor ce conţin ioni de calciu, precum şi reglarea parametrilor fizico-chimici, permite extragerea fracţiei proteice în concentratul proteico-mineral şi izomerizarea concomitentă a lactozei în lactuloză. Pentru obţinerea valorilor maxime procedeul se realizează în două etape şi permite extragerea proteinei de la 70% (prima etapă) până la plus 10-15% (a doua etapă) şi izomerizarea lactozei în lactuloză de la 35-45% (prima etapă) până la 55-65% (a doua etapă). Variantele propuse sunt în permanentă modernizare, iar datele expuse vor fi eficientizate pe parcursul optimizării regimurilor în continuare. Adaptarea diafragmei şi lichidului secundar reduce semnificativ consumul de energie şi durata perioadei de prelucrare.

Cantitatea maximă de proteină la utilizarea diferitor membrane şi

soluţii ale lichidului anodic. Debit în ambele celule – 5 ml/min: variantele 1. – zer iniţial, membrană din prelată; 2. – sol. 10% CaCl2 in zer deproteinizat, membrană din prelată; 3 - sol. 5% CaCl2 in zer iniţial , membrană din prelată; 4 – sol. 1% CaCl2 in apă distilată, membrană din prelată; 5 – sol. 2% CaCl2 in apă distilată, membrană din prelată; 6 – zer iniţial, membrană de ultrafiltrare; 7 - sol 2% СаСl2, membrană ionselectivă MK-40.

Astfel tehnologia propusă permite prelucrarea completă şi non-reziduală a laptelui pe un contur închis cu obţinerea produselor finale – concentratului proteico-mineral şi a lactulozei, prin utilizarea indirectă a reagenţilor chimici.

27

Sterilizarea mediilor lichide în contact cu plasma: despre un eficient mecanism de acţiune a impulsurilor de tensiune înaltă

Iurie Boşneaga

Institutul de Fizică Aplicată al Academiei de Ştiinţe, MOLDOVA, MD-2028, Str. Academiei, nr.5

E-mail: iubosneaga@gmail.com

Plasma influence on the liquid medium for the purpose of steril